ZGŁOŚ PROBLEM
ODSYŁACZE
Link do zasobu (skrót):
http://azon.e-science.pl/zasoby/14804Link do zasobu (repozytorium):
https://id.e-science.pl/records/14804Metadane zasobu
Tytuł |
Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych |
---|---|
Osoby |
Autorzy:
Damian Pucicki
Partner: Politechnika Wrocławska |
Opis |
Tematem niniejszej rozprawy doktorskiej jest: „Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych.” Przy wyborze tematu pracy kierowano się nie tylko potrzebą wyjaśnienia wpływu azotu i jego zawartości na właściwości warstw epitaksjalnych, ale przede wszystkim koniecznością poszerzenia zakresu badań prowadzonych w Laboratorium Nanotechnologii i Struktur Półprzewodnikowych oraz potrzebą zdobycia doświadczenia technologicznego w zakresie krystalizacji półprzewodnikowych roztworów stałych, zawierających azot, techniką MOVPE (ang. MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy) przy ciśnieniu atmosferycznym. (Polski) Uwagi: Praca doktorska. |
Słowa kluczowe | "związki półprzewodnikowe"@pl, "heteroepitaksja"@pl, "osadzanie"@pl, "AP-MOVPE"@pl, "struktury niskowymiarowe"@pl, "przyrządy optoelektroniczne"@pl, "rozcieńczone azotki"@pl |
Klasyfikacja |
Typ zasobu:
praca dyplomowa Dyscyplina naukowa: dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011) Grupa docelowa: naukowcy, studenci Szkodliwe treści: Nie |
Charakterystyka |
Miejsce powstania: Wrocław
Czas powstania: 2006 Liczba stron: 209 Promotor: Marek Tłaczała Język zasobu: Polski Identyfikatory: OAI: 1440 |
Linki zewnętrzne | |
Licencja | ID-NC-ND |
Informacje techniczne |
Deponujący: Olga Schabowicz Data udostępnienia: 01-08-2018 |
Kolekcje | Kolekcja Politechniki Wrocławskiej, Kolekcja e-Biblio PWr |
Cytowanie
Damian Pucicki. Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych. [praca dyplomowa] Dostępny w Atlasie Zasobów Otwartej Nauki, . Licencja: ID-NC-ND, https://azon.e-science.pl/licencje/ID-NC-ND_PWr.pdf. Data dostępu: DD.MM.RRRR.
Podobne zasoby
Laboratorium Fotoniki: Światłowody
Damian Pucicki, Katarzyna Bielak, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)
Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications
Mikołaj Badura, Katarzyna Bielak, Beata Ściana, Damian Radziewicz, Damian Pucicki, Wojciech Dawidowski, Karolina Żelazna, Robert Kudrawiec, Marek Tłaczała, artykuł, rozdział, Politechnika Wrocławska, Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (2018)
Laboratorium Fotoniki: Teoria barwy
Damian Pucicki, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)
Laboratorium Miernictwa Elementów Optoelektronicznych: Teoria barw - dyspersja
Damian Pucicki, Katarzyna Bielak, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)