ZGŁOŚ PROBLEMikona ozdobna

Pola oznaczone gwiazdką (*) są wymagane
*
*
*
*
captcha
Zapoznałem/am się i akceptuję regulamin oraz politykę prywatności *

ODSYŁACZE

Link do zasobu (portal):

Link do zasobu (skrót):

http://azon.e-science.pl/zasoby/14804

Link do zasobu (repozytorium):

https://id.e-science.pl/records/14804

Typ zasobu: praca dyplomowa

Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych

Widok

Metadane zasobu

Tytuł Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych
Osoby Autorzy: Damian Pucicki
Partner: Politechnika Wrocławska
Opis Tematem niniejszej rozprawy doktorskiej jest: „Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych.” Przy wyborze tematu pracy kierowano się nie tylko potrzebą wyjaśnienia wpływu azotu i jego zawartości na właściwości warstw epitaksjalnych, ale przede wszystkim koniecznością poszerzenia zakresu badań prowadzonych w Laboratorium Nanotechnologii i Struktur Półprzewodnikowych oraz potrzebą zdobycia doświadczenia technologicznego w zakresie krystalizacji półprzewodnikowych roztworów stałych, zawierających azot, techniką MOVPE (ang. MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy) przy ciśnieniu atmosferycznym. (Polski)
Uwagi: Praca doktorska.
Słowa kluczowe "związki półprzewodnikowe"@pl, "heteroepitaksja"@pl, "osadzanie"@pl, "AP-MOVPE"@pl, "struktury niskowymiarowe"@pl, "przyrządy optoelektroniczne"@pl, "rozcieńczone azotki"@pl
Klasyfikacja Typ zasobu: praca dyplomowa
Dyscyplina naukowa: dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)
Grupa docelowa: naukowcy, studenci
Szkodliwe treści: Nie
Charakterystyka Miejsce powstania: Wrocław
Czas powstania: 2006
Liczba stron: 209
Promotor: Marek Tłaczała
Język zasobu: Polski
Identyfikatory: OAI: 1440
Linki zewnętrzne
Licencja ID-NC-ND
Informacje techniczne Deponujący: Olga Schabowicz
Data udostępnienia: 01-08-2018
Kolekcje Kolekcja Politechniki Wrocławskiej, Kolekcja e-Biblio PWr

Cytowanie

Skopiowano

Damian Pucicki. Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych. [praca dyplomowa] Dostępny w Atlasie Zasobów Otwartej Nauki, . Licencja: ID-NC-ND, https://azon.e-science.pl/licencje/ID-NC-ND_PWr.pdf. Data dostępu: DD.MM.RRRR.

Podobne zasoby

Laboratorium Fotoniki: Światłowody

Damian Pucicki, Katarzyna Bielak, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)

Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications

Mikołaj Badura, Katarzyna Bielak, Beata Ściana, Damian Radziewicz, Damian Pucicki, Wojciech Dawidowski, Karolina Żelazna, Robert Kudrawiec, Marek Tłaczała, artykuł, rozdział, Politechnika Wrocławska, Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (2018)

Laboratorium Fotoniki: Teoria barwy

Damian Pucicki, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)

Laboratorium Miernictwa Elementów Optoelektronicznych: Teoria barw - dyspersja

Damian Pucicki, Katarzyna Bielak, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)

Zobacz więcej